磁控濺射的分類

磁控濺射包括很多種類（lèi）。各有不同（tóng）工作原理和應（yīng）用對象。但有一共同點：利用（yòng）磁場與電（diàn）場交互作用，使電子在靶（bǎ）表麵附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的概率。所產生的離（lí）子在電場作用下（xià）撞向靶麵從而濺射出靶材。

1、靶源不同

靶源（yuán）分平衡式和非平衡式，平（píng）衡式靶源鍍膜（mó）均勻，非平（píng）衡式靶源鍍膜膜層和基體（tǐ）結合力強。平衡靶源多用於半導體光學膜，非平衡多用於磨損裝（zhuāng）飾膜。

2、磁場位形分布不同

根據磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態磁控（kòng）陰極和非平衡態磁控陰極。平衡態（tài）磁控陰極內外（wài）磁（cí）鋼的磁通量大致相（xiàng）等，兩極磁力線v閉合於靶麵，很好地將電（diàn）子/等離子體約束在靶麵附近，增（zēng）加了（le）碰撞幾（jǐ）率，提高了離化效率（lǜ），因而在較低的工作（zuò）氣壓和電壓下就能起輝（huī）並維持輝光（guāng）放電，靶材利用（yòng）率相對較高。但由（yóu）於電子沿磁力線運動主要閉合於靶麵，基片區域所受離子轟擊較小。非（fēi）平衡磁控濺射技術，即讓磁控（kòng）陰（yīn）極外磁極（jí）磁通大於內磁極，兩極磁力線在靶麵不完全閉合，部分（fèn）磁力線可沿靶的邊緣（yuán）延伸到基（jī）片區域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展（zhǎn）到基片，增加基片區域的（de）等離子體密度（dù）和氣（qì）體（tǐ）電離（lí）率。

不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定（dìng）了一般靶材利用率小（xiǎo）於30%。為增大靶材利用率，可采用（yòng）旋轉（zhuǎn）磁場。但旋轉磁場需要旋轉（zhuǎn）機構，同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用於大型或貴重靶，如半導體膜濺射（shè）。對於（yú）小（xiǎo）型設備和一（yī）般工業設備，多用磁場靜止（zhǐ）靶源。